蒸鍍氧化矽型阻隔性（xìng）包裝薄膜的製備方法有物理（lǐ）蒸鍍（PVC)和化學（xué）蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體實施方法的不同，又有如下種種方（fāng）法（fǎ）。阻隔膜（mó）生產設備

1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦稱物理氣相沉積法，包括電阻絲蒸鍍、電子束蒸鍍以及濺射等。其中電阻式蒸鍍和電子束蒸鍍需（xū）在高（gāo）溫下使SiO2汽（qì）化，而濺射沉積應用（yòng）單元（yuán）素靶材濺射（shè），具有沉積（jī）溫度低、沉積速率高、靶（bǎ）材不受限製、鍍膜質量好的
優點。

（1)電阻絲蒸鍍法

電阻絲蒸發鍍法是在真空室（shì）中（zhōng），用電阻絲加熱SiO2,溫度可達1700℃,高溫及真空使SiO2以原子或分子的形態從其表麵汽化逸出，形成蒸氣流，該（gāi）蒸氣流在基材表麵沉積（jī），形成含（hán）SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。

（2)電子束蒸（zhēng）發鍍膜法

電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放入（rù）水冷（lěng）銅坩堝中，直接利（lì）用電子束加熱，使之（zhī）蒸發汽化，然後凝結（jié）在基材的表麵上形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝（zhuāng）薄膜。電子束轟擊（jī）熱源的束流（liú）密度高，能獲得遠比電阻加（jiā）熱源更大的能量密度，蒸發溫度高（電子束加熱能量達20kW/c㎡,溫（wēn）度更可達3000~6000℃),因而特別適合製作高熔點薄膜類材料和（hé）高純薄（báo）膜材（cái）料，而且能有較高的蒸發速度。由於熱量（liàng）可直接加到（dào）蒸鍍材料的表麵，因而熱效率高，熱傳導和（hé）熱輻射的損失少，所生產的SiOx阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔（gé）性，較之電阻絲蒸鍍法生產的產品，也有顯著提高。

（3)濺射法

濺（jiàn）射法亦稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單元素靶材濺射並倒入反應氣體進行的反應稱為反應濺射，通過調（diào）節沉積（jī）工藝參數，可以製備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜鍍（dù）層（céng）的組成來調控（kòng）薄膜特性的目（mù）的。磁（cí）控濺射（shè）法與蒸發（fā）法相比，具有鍍膜層與基材的（de）結（jié）合力強（qiáng）、鍍膜層致密（mì）、均勻等優點。磁控濺射的其他優點有設備簡單、操作方便等，在濺射鍍膜過程中，隻要保持工作氣壓和（hé）濺射（shè）功率恒定，基本上即可獲得穩定的（de）沉積速率。最大缺點是沉積速率相對較低，此外可能發生靶中毒、引起的打火和濺射（shè）過程不穩（wěn）定以及膜的（de）缺陷等，這些限製了它的應用，因此尚有待進一步改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦稱等離子體增強化學氣相沉積或（huò）等離子體（tǐ）聚合氣相沉積，是利用等離子體手段產生電子、離子及活（huó）性（xìng）基團（tuán），在氣態或基體表麵進（jìn）行化（huà）學（xué）反應。等離子體增強化學氣相沉積技術，利用射頻（RF)電源產生輝光放電（射頻電源放電方（fāng）式可以設置為連續放（fàng）電方式（shì）或脈衝放電方式）或者（zhě）微波（MW)放電來離解反應氣體（tǐ），形成等離子體，等離子體與（yǔ）基（jī）膜表麵發生相（xiàng）互作用並沉積成膜。穀吉海等（děng）曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術的原理（lǐ）、特點和應用及陶瓷膜蒸鍍技術的發展趨勢進行了（le）展（zhǎn）望。

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