拉伸薄膜

         通（tōng）常PET薄膜（mó）在縱向和橫向的F-5值在100~390MPa.但，這種薄膜對於（yú）長時間放（fàng）聲或小尺寸的磁帶基膜是不夠（gòu）用（yòng）的。因這些磁（cí）帶要求薄膜硬度更大。薄膜的有效硬（yìng）度是與薄膜厚度3X膜模量成比例的，即（jí）使薄膜很薄，也應該有較高（gāo）的模量。高模量的薄膜是由增加薄膜分子取向獲得的。因為縱向模量與磁帶運動性有關，而橫向模量與磁頭接觸性有關（guān），要求在兩個方向（xiàng）上都具有高模量。（磁帶的運動性好（hǎo）壞通常是由磁帶的伸長率（lǜ）、磁帶邊緣損壞及磁帶的折疊狀況（kuàng）來評價（jià）的）。

以下（xià）列舉了一些類型的拉伸薄膜：

①半（bàn）拉伸薄膜（縱（zòng）向（xiàng）F-5值為130~150MPa);
②一般拉伸薄膜（縱向F-5值為150~180MPa);
③過拉伸薄膜（縱向（xiàng）F-5值為180~220MPa);
④超過拉伸薄膜（縱向F-5值為220~260MPa);
⑤雙（shuāng）側拉伸薄膜（縱向 F-5值為150MPa;橫向 F-5值為140MPa).

隨著拉伸的增加（jiā），PET薄膜的熱收縮率收縮率增（zēng）加，熱收縮的變化是與F-5值的關係是不可逆的。

生產拉伸薄膜的基本過程如下：
（1)LD方向拉伸；
（2)TD方向拉伸；
（3)LD方向再拉伸；
（4)如果需要，TD方向（xiàng）再拉伸；
（5)熱固（gù）化。

LD方向（xiàng）再拉（lā）伸是相當困難的，因為薄膜非常薄和寬，會導致（zhì）

（1)兩邊（biān）應成（chéng）型（xíng）得相當厚，以防此寬度減（jiǎn）小；
（2)預熱和拉伸輥的偏差應該（gāi）盡（jìn）可能小；
（3)拉伸溫（wēn）度應隨薄膜（mó）通過機器的進程而升高。

        由於再拉伸過程通（tōng）常成本較（jiào）高，因此提出了另一種方法以降低製造成本。這種（zhǒng）新工藝（yì）的特（tè）點是，第一次的LD方向拉伸分兩步進（jìn）行:

（1)流延薄膜首先在（zài）120~150℃在LD方向拉伸，控製拉（lā）伸（shēn）比，使（shǐ）拉伸薄膜的雙折（shé）射值在0.005~0.025之間；

（2)之後第二次LD方（fāng）向的（de）拉伸在60~100℃之間進行；
（3)這樣獲得（dé）的單（dān）向拉伸薄膜在TD方向以4.3以上的拉伸比進行拉伸（shēn）；
（4)獲得雙向拉伸（shēn）薄膜之後再熱（rè）固化。

         根據這樣的加工工藝，由於不需要再次拉伸過程，因此拉伸薄膜的（de）製造成本較低（dī）。有各種方法生產過拉伸薄膜，下（xià）麵列舉了（le）其中的一些方法。

（1)雙取向的薄膜再（zài）次同步雙向拉（lā）伸.

          ”第二次同步拉（lā）伸的（de）拉（lā）伸比分別為：LD方向為1.05~1.90;TD方（fāng）向為1.0~1.9.同步（bù）拉伸的拉伸溫度（dù）在（Tg+10)℃和（Tm-40)℃之間（Tg:玻璃化轉變溫度；Tm:熔融溫度）。

（2)多步LD方向（xiàng）拉伸與再拉伸相結合.

        流延薄膜以多步（bù）形式在LD方向拉伸為雙折射值在0.02~0.10的單取向薄膜，之後薄膜以（yǐ）2.5~4.5的拉伸比在TD方向（xiàng）拉伸，並以1.5~2.5的拉伸比在LD方向再（zài）拉伸。經過LD、TD及LD拉伸（shēn）產（chǎn）品的拉伸比高於25.

（3)多步LD拉伸與同步雙向拉伸相結合.

         流延薄膜以多（duō）步形式在LD方向拉伸為雙折射值在0.02~0.10的單取向薄（báo）膜。之後薄（báo）膜以（yǐ）高於2.5的拉伸比進行TD方向拉（lā）伸（shēn），之後進（jìn）行同步（bù）雙向拉伸，此時兩方向的拉伸（shēn）比在1.4~2.5,產品總（zǒng）的拉伸比在27以上。

（4)伴有區域退（tuì）火的區域拉伸（shēn）。

        區域拉伸和退火包括在按壓點加熱的張力（lì）條件下的薄膜拉伸和退火。區域拉伸的目的是在防止結晶的同時（shí）獲得較高的分（fèn）子取向，它是通過大致在Ts溫度時薄膜的頸縮拉伸獲得的。區域退火的目的是在Tc-Tm 溫度之間較高的張力下，對拉伸薄膜（mó）退火的方法，獲得分子（zǐ）鏈伸長的晶體。區域退火薄膜的LD方向（xiàng）模量（liàng）幾乎是原薄膜的兩倍，盡管TD方向的模（mó）量有所下降。

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