一、影響蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性（xìng）能的因素（sù）

        蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及（jí）蒸鍍塗層的組成、蒸鍍（dù）層的厚度等，都可能對（duì）蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的（de）性能產生（shēng）巨大的影響，主要可以（yǐ）列舉如下。www.proease.com南京含羞草视频网站精工阻隔膜生產線


1.基材的選擇性
        如前所述，蒸鍍型氧（yǎng）化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的阻隔（gé）性（xìng）依靠於SiOx塗層，因此在蒸煮處理過程中，不能破壞該塗層。蒸鍍（dù）型（xíng）氧化（huà）矽（guī）阻隔性（xìng）包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型（xíng）

        蒸鍍的氧化矽膜與塑料薄膜之間（jiān）的黏合牢度與塑料基膜種類之間有較大的關（guān）係，PET、PVC等極性較（jiào）大的薄膜與氧化矽間的黏合性較佳（jiā），而非極性的薄膜，與氧化矽（guī）間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表麵（miàn）狀態

        蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上決定於氧化矽鍍層的均勻性。裂縫、針孔等缺（quē）欠，會導（dǎo）致蒸鍍型氧化矽（guī）阻隔性包裝薄膜的阻隔性明（míng）顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學（xué）成分與結構之外，所用（yòng）基膜的表麵平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越（yuè）容易造成蒸鍍缺（quē）陷，但適量的粗糙度會使蒸鍍層（céng）和基膜的表麵之間形成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料薄膜的表麵預處理狀況

      為（wéi）了得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電（diàn）暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複雜的化學反應（yīng），將氧、氮等原（yuán）子及原子團引（yǐn）入到塑料薄膜的（de）表麵上），增大基膜與蒸鍍塗層之間（jiān）的結合力。在預處理設備一定的情況（kuàng）下，如果預處理時間不足，表麵改（gǎi）性不充分，將導致基膜與塗層之間（jiān）的結合牢度下降（jiàng）；預處理（lǐ）時間過長，可能引起基膜較深層次（cì）的界（jiè）麵弱化，產生基膜自身的弱界麵層，也（yě）會（huì）引（yǐn）起基材表麵和蒸鍍層間的結合力下降。
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2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性能的影響
       

  不（bú）論（lùn）采用物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝（yì）條件都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生顯著的影響，因此（cǐ）應（yīng）當（dāng）盡（jìn）可能采用有利於（yú）提高蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件。

（1)采用物（wù）理蒸鍍時，
      

  真空度的高低、基材（cái）薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空（kōng）室中氧氣導（dǎo）入的速度、蒸鍍（dù）塗層的（de）厚度（決定於蒸鍍時間與蒸（zhēng）發功率）等均會影響最（zuì）終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利於SiO2的蒸發，製得的蒸鍍膜的質量越高。

②蒸鍍時塑料基膜的（de）溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗層並有利於提（tí）高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結度（dù），因此適當提高塑料基膜的溫度，有利於提高蒸鍍（dù）薄膜的（de）質（zhì）量。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使用（yòng）塊狀的SiO2,因（yīn）為粉狀的SiO2在受電子槍轟（hōng）擊時，易產（chǎn）生（shēng）粉末濺射現象，影響（xiǎng）蒸鍍膜的質量，而粉狀（zhuàng）SiO2則有利於（yú）電阻加熱蒸發。

④氧氣的導入速度影響蒸鍍（dù）層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量越（yuè）大，即x的值越大，蒸鍍層向透明性提高的方（fāng）向（xiàng）移動，但阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時，得到阻隔性能差的、無色透明的蒸鍍層，通常x控製在（zài）1.5~1.8之間以（yǐ）獲得兼具高阻隔性及良好（hǎo）透明性的蒸鍍氧化矽（guī）薄膜（mó）。www.proease.com南京含羞草视频网站精工阻隔（gé）膜生產線

        蒸鍍層的厚度增加，蒸鍍膜（mó）的阻隔性增加，但當蒸鍍（dù）層的厚度（dù）超過50nm時，蒸（zhēng）鍍層的厚度再進一步增大（dà），蒸鍍（dù）膜的阻隔性基本保（bǎo）持不變，因此不能指望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或（huò）微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子化能量以及蒸鍍材料離子化所需要的能量相匹（pǐ）配，高頻電磁波一般選用13.56MHz,微（wēi）波一（yī）般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得優良的蒸鍍效果（guǒ），而物理蒸鍍時則需要更高（gāo）的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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